Samsung заметно усилила свои позиции на рынке памяти для искусственного интеллекта. Южнокорейская компания, которая еще недавно сталкивалась с проблемами при производстве HBM предыдущих поколений, смогла существенно повысить эффективность выпуска HBM4 — одного из ключевых компонентов современных ИИ-ускорителей. По данным Seoul Economic Daily, показатель выхода годных чипов HBM4 у Samsung достиг 80%. Для полупроводниковой отрасли это считается важной границей: при таком уровне производства процесс становится значительно более предсказуемым, стабильным и экономически выгодным. При этом сама Samsung официально подтвердила, что еще в феврале начала массовое производство HBM4 и поставки готовой памяти клиентам. Содержание статьи Показатель выхода годных чипов, или yield, показывает, какая доля произведенной продукции проходит все проверки качества без критических дефектов. Чем выше этот показатель, тем меньше кремниевых пластин и готовых микросхем приходится списывать, а значит, тем ниже себестоимость каждого рабочего чипа. По информации корейских СМИ, в начале массового производства HBM4 показатель Samsung находился ниже 60%. Теперь компания смогла довести его примерно до 80% всего за несколько месяцев. Именно отметка в 80% в полупроводниковой индустрии часто рассматривается как своеобразная «золотая граница», после которой производство становится намного легче масштабировать. Samsung объясняет свои успехи сочетанием технологий сразу нескольких подразделений — производства памяти, Foundry и передовой упаковки. Такой подход позволяет компании контролировать значительную часть производственной цепочки внутри одной структуры, что особенно важно для HBM, где качество отдельных этапов напрямую влияет на итоговую надежность многослойного чипа. Официально Samsung начала массовый выпуск HBM4 12 февраля 2026 года и одновременно сообщила о первых коммерческих поставках клиентам. Компания использует 1c DRAM — шестое поколение 10-нм класса — и 4-нм базовый кристалл, произведенный по технологии Foundry. Samsung заявляла о скорости передачи данных 11,7 Гбит/с с возможностью масштабирования до 13 Гбит/с. На этом фоне цифра в 80% выглядит особенно важной: речь идет уже не просто о демонстрации возможностей новой памяти, а о способности производить ее в больших объемах с приемлемой экономикой. Рынок HBM сегодня фактически определяет, кто получит большую часть доходов от инфраструктурного бума вокруг искусственного интеллекта. Такая память используется рядом с GPU и другими ИИ-ускорителями, обеспечивая им очень высокую пропускную способность. Без нее современные системы для обучения и работы крупных моделей не смогли бы эффективно использовать вычислительные мощности. Основными производителями современной HBM остаются Samsung, SK hynix и Micron. При этом SK hynix долгое время сохраняла существенное преимущество. По данным самой SK hynix, компания занимала 62% рынка HBM по объему поставок во втором квартале 2025 года, а по выручке в третьем квартале ее доля составляла 57%. Более свежие отраслевые оценки показывают, что конкуренция за HBM4 постепенно становится значительно острее. В июне TrendForce сообщала, что Samsung первой завершила валидацию HBM4 и начала поставки во втором квартале 2026 года, тогда как SK hynix столкнулась с задержками, связанными с синхронизацией интерфейсов. Это создает для Samsung окно возможностей, которым компания явно намерена воспользоваться. Теперь Samsung рассчитывает занять около 38% рынка HBM к концу 2026 года. Аналитики также допускают, что в 2027 году компания сможет обойти SK hynix по объему производства HBM. Пока это остается прогнозом, но быстрый рост выхода годных HBM4 делает такой сценарий гораздо более реалистичным. Наиболее показательно здесь сравнение с предыдущим поколением. Samsung испытывала серьезные проблемы с HBM3 и HBM3E, включая вопросы к нагреву и стабильности, из-за которых часть продукции не проходила проверки клиентов. HBM4 создавалась уже с учетом этого опыта, а компания одновременно изменила производственный подход и активнее задействовала возможности Foundry и передовой упаковки. Именно поэтому нынешний результат выглядит не как обычное повышение производительности, а как попытка Samsung восстановить доверие крупнейших заказчиков после неудач с предыдущими поколениями памяти. HBM отличается от обычной оперативной памяти прежде всего конструкцией. Несколько слоев DRAM располагаются друг над другом, благодаря чему удается получить огромную пропускную способность на относительно компактной площади. Однако такая архитектура значительно усложняет производство: необходимо обеспечить точное соединение множества слоев, стабильное энергопотребление и надежную работу всего стека. Именно поэтому рост yield имеет такое большое значение. Даже технически превосходный чип не принесет производителю ожидаемой прибыли, если слишком большая доля продукции отправляется в брак. Для HBM4 Samsung заявляет до 11,7 Гбит/с на контакт и до 13 Гбит/с в перспективе. Компания также указывает пропускную способность одного стека до 3 ТБ/с и максимальную емкость 36 ГБ для 12-слойной конфигурации. В будущем использование 16 слоев позволит увеличить емкость до 48 ГБ. Такие характеристики особенно важны для новых ИИ-ускорителей, которым приходится одновременно обрабатывать огромные объемы данных. Следующее поколение платформ Nvidia, включая архитектуру Rubin, должно еще сильнее увеличить требования к пропускной способности памяти. На практике это означает, что борьба Samsung и SK hynix идет не только за производство отдельных микросхем. Компании конкурируют за место в цепочках поставок Nvidia, AMD, Google и других разработчиков ИИ-оборудования. На достигнутом Samsung останавливаться не собирается. Компания работает над HBM4E — следующим развитием технологии. По имеющимся данным, Samsung стремится довести выход годных чипов HBM4E примерно до 70% еще до начала массового выпуска, который ожидается в первой половине 2027 года. Это особенно интересно на фоне того, что производители памяти уже заранее расширяют мощности под будущий спрос. По оценкам отраслевых аналитиков, значительная часть производственных возможностей HBM на 2027 год уже зарезервирована клиентами. Иными словами, борьба сейчас идет не за то, чтобы просто разработать более быструю память, а за возможность физически произвести ее в нужном количестве. Для Samsung это принципиальный момент: высокий yield позволяет быстрее наращивать реальные поставки без пропорционального увеличения производственных затрат. Если компании удастся одновременно сохранить качество и увеличить объемы, разрыв с SK hynix может заметно сократиться. Обычный покупатель смартфона, ноутбука или телевизора не увидит HBM4 в характеристиках своего устройства — это специализированная память для серверов и ускорителей. Однако ее влияние постепенно будет ощущаться и на потребительском рынке. ИИ-сервисы, облачные платформы, генеративные модели и различные функции обработки изображений требуют все больше серверных мощностей. Если Samsung и другие производители смогут увеличить выпуск HBM, это поможет наращивать количество ИИ-ускорителей в дата-центрах и потенциально снизит ограничения по доступности вычислительных ресурсов. Для украинских пользователей это может проявиться прежде всего в развитии облачных ИИ-сервисов, скорости обработки запросов и появлении новых функций в смартфонах и компьютерах. При этом сама HBM4 в ближайшее время не станет компонентом обычного домашнего ПК — ее основное назначение остается в высокопроизводительных серверных системах. Есть и обратная сторона. Спрос на HBM уже влияет на весь рынок памяти, поскольку производители перераспределяют производственные мощности в пользу более дорогих решений для ИИ. Поэтому конкуренция Samsung, SK hynix и Micron важна не только для серверов: от того, насколько быстро будет расти производство специализированной памяти, в перспективе может зависеть и доступность других типов DRAM и NAND. Потенциальный масштаб рынка хорошо показывает финансовая сторона истории. По оценке, приведенной в исходном материале, при сохранении высоких темпов роста Samsung может получить в 2027 году не менее $30 млрд прибыли от продаж HBM. Это именно прогноз, а не гарантированный финансовый результат. Он зависит от цен на HBM, объемов поставок, спроса со стороны производителей ИИ-ускорителей и способности Samsung удерживать высокий процент выхода годных изделий. При этом сама Samsung ожидает, что ее продажи HBM в 2026 году более чем утроятся по сравнению с 2025 годом. Компания также планирует активно расширять производственные мощности HBM4 и развивать следующие поколения памяти. Судя по динамике производства, Samsung постепенно превращает HBM4 из технологического вызова в полноценное конкурентное преимущество. Если показатель выхода годных действительно закрепится около 80%, главным вопросом станет уже не способность компании производить HBM4, а то, насколько быстро она сможет масштабировать объемы и отвоевать долю рынка у SK hynix. Для Samsung это особенно важный момент после проблем с HBM3E: теперь компания получила возможность доказать крупнейшим заказчикам, что способна не только создать конкурентоспособную память, но и стабильно выпускать ее в больших количествах. Именно масштаб производства и надежность поставок могут определить расстановку сил на рынке HBM в 2027 году. Теги:
Samsung вывела производство HBM4 на новый уровень
Почему Samsung так важно догнать SK hynix
HBM4 становится ключевой памятью для следующего поколения ИИ
Samsung уже готовит HBM4E
Что изменится для пользователей в Украине
Samsung рассчитывает превратить технологический рывок в огромный бизнес
Компании
